存储器测试与MBIST设计在现代SoC中，SRAM/DRAM/Flash等存储器通常占据50%以上的芯片面积，且存储器密度随工艺节点缩小持续上升。存储器由于结构高度规则、晶体管尺寸最小，是芯片中缺陷率最高的模块。MBIST（Memory Built-In Self Test，存储器内建自测试）通过在芯片内部嵌入测试控制器，自动对存储器施加测试向量并比对响应，是存储器DFT的核心技术。本文系统讲解存储器故障模型、March算法族、MBIST架构、修复技术，并配套Python/Verilog实战脚本与SRAM MBIST仿真案例。一、存储器测试概述与挑战1.1 为什么存储器需要独立测试方法存储器与随机逻辑有本质区别：维度随机逻辑存储器结构不规则，门级网表高度规则，阵列化故障模型SA0/SA1/Bridge为主SAF/TF/CF/NPSF/DRF等多样测试方法Scan+ATPGMBIST + March算法