【信息科学与工程学】【制造工程】第三十五篇 2.5D Interposer / 3D TSV / Wafer Bonding / Chip Embedding​ 封装 系列一 Chip Embedd

📅 2026/7/5 4:20:37
【信息科学与工程学】【制造工程】第三十五篇 2.5D Interposer / 3D TSV / Wafer Bonding / Chip Embedding​ 封装 系列一 Chip Embedd
2.5D/3D 封装与异构集成关键技术编号类型领域子领域 / 内容问题(数学分析及多学科交叉)关联知识12.5D Interposer​先进封装 / 异构集成Si Interposer (无 TSV 或有 TSV)、Glass Interposer、RDL 重分布层① 电磁场:RDL 走线阻抗 Z0​=L/C​、串扰 Xtalk​=20log∥S41​∥;② 热传导:∇⋅(k∇T)+Q=0在硅基底的各向同性扩散;③ 几何/拓扑:RDL 布线 = 多层图 G=(V,E)的通道分配与层间过孔(via)的最小割;④ 数值估计:Monte Carlo 对 CMP 后线宽偏差 σw​的良率模型 Y=∫Φ((L−μ)/σ)dμ;⑤ 张量:硅的介电常数