讲二极管之前需要先了解PN结。硅和锗这两种半导体材料是原子晶体内部由原子通过共价键连接。PN结内部P区有很多的多子空穴N区有很多的多子电子-。其中能自由移动的带点粒子都是载流子P区空穴多所以带正电的空穴是载流子N区电子多所以带负电的电子是载流子由于浓度差电子会从N区向P区扩散空穴会从P区向N区扩散在中间形成空间电荷区耗尽层同时产生一个由N指向P的内建电场。这个电场会阻止多子继续扩散同时推动少子做漂移最终扩散和漂移达到平衡。加正向电压PN-外电场方向从P指向N与内建电场方向相反。削弱了耗尽层多子的扩散增强形成较大的正向电流。加反向电压P-N外电场方向从N指向P与内建电场方向相同增强了耗尽层扩散被抑制只有少量少子漂移形成反向饱和电流。