NT5CC64M16GP-EK南亚科技1Gb DDR3L SDRAM内存颗粒深度解析在笔记本电脑、工业嵌入式系统、网络通信设备以及各类需要低功耗内存的应用中DDR3L SDRAM凭借其低电压和成熟的接口优势成为系统设计中重要的存储组件。南亚科技Nanya Technology推出的NT5CC64M16GP-EK作为一款1Gb DDR3L SDRAM颗粒在96-ball VFBGA封装内集成了64M×16的组织结构、1866Mbps数据速率和1.35V低电压工作能力为各类消费电子、嵌入式系统及通信设备等应用提供了高性价比的DDR3L内存解决方案。一、产品定位与概述NT5CC64M16GP-EK隶属于南亚科技DDR3L SDRAM产品线是一款标准的1Gb128MB内存颗粒采用64M×16的组织结构。产品属性规格说明制造商Nanya南亚科技全球领先的DRAM制造商之一产品类别DDR3L SDRAM低电压DDR3同步动态随机存取存储器存储容量1 Gb1024 Mbit约128MB组织结构64M × 16位64M个地址 × 16位数据宽度数据速率1866 Mbps对应DDR3L-1866PC3-14900时钟频率933 MHz内部时钟频率访问时间tAA0.195 ns最大时钟到数据输出延迟工作电压1.35V1.283V ~ 1.45VDDR3L低电压标准封装类型VFBGA-9696-ball薄型细间距球栅阵列封装尺寸13mm × 8mm标准DDR3 x16尺寸工作温度0°C ~ 95°C商业/扩展温度范围产品状态Active量产/在售正常供货该器件采用96-ball VFBGA封装是DDR3 x16颗粒的标准封装形式。DDR3L相比标准DDR31.5V的核心改进在于1.35V工作电压功耗降低约10%同时向下兼容1.5V DDR3系统。型号命名规则解读根据南亚DDR3命名规则字段含义说明NT南亚科技产品前缀—5CC产品系列DDR3L SDRAMCC1.35V低电压64M16组织架构64M × 16GPDie版本特定Die版本-EK速度/温度代码1866Mbps/商业级0°C~95°C系列电压区分NT5CCDDR3L低电压版本1.35V如本器件NT5CB标准DDR3版本1.5V二、核心技术特性2.1 1866Mbps数据速率DDR3L-1866参数规格说明数据传输速率1866 Mbps每引脚数据速率对应DDR3L-1866等效频率1866 MHzDDR双倍数据速率时钟频率933 MHz内部时钟频率访问时间tAA0.195 ns最大时钟到数据输出延迟数据总线宽度×1616位单颗颗粒数据接口单颗带宽约3.73 GB/s1866Mb/s × 16bit ÷ 81866Mbps数据速率是该器件的核心速度等级。DDR3L-1866是该世代的主流高速配置在带宽与成本之间取得了良好平衡。该器件采用8n预取架构每时钟周期传输两次数据实现1866MT/s的数据率。2.2 1.35V低电压与DDR3L标准电压参数范围说明工作电压VDD/VDDQ1.283V ~ 1.45VDDR3L低电压标准标称电压1.35VJEDEC标准DDR3L电压1.35V工作电压是DDR3L相比于标准DDR31.5V的核心改进。1.35V模式下功耗较1.5V版本降低约15%同时完全向下兼容1.5V DDR3系统可直接用于标准DDR3设计无需修改PCB或控制器配置。2.3 存储组织64M × 16NT5CC64M16GP-EK采用64M × 16的组织结构64M地址深度每个颗粒包含67,108,864个存储地址×16数据宽度每个地址对应16位并行数据输出8个内部Bank支持Bank交错访问提高数据吞吐量8 Banks设计相比DDR2的4 Banks显著提高了数据吞吐量降低了Bank冲突导致的访问延迟。该器件支持多Bank页面突发访问模式。2.4 DDR3L核心架构特性该器件支持完整的DDR3L标准功能集特性规格说明Bank数量8个支持Bank交错操作预取架构8n预取DDR3标准预取技术接口类型SSTL_135专为1.35V优化的I/O接口标准自刷新支持低功耗数据保持刷新周期8192次/64ms标准刷新配置突发长度顺序/交错8支持顺序和交错突发模式功能特性支持自动自刷新、自动预充电功能自刷新功能是该器件在低功耗待机状态下的关键特性在系统待机时维持数据不丢失。SSTL_135接口是专为1.35V低电压DDR3优化的I/O接口标准确保信号完整性和时序裕量。该器件输出为3态输出支持通用I/O配置。2.5 温度规格与工作条件该器件支持0°C至95°C的商业/扩展温度范围。温度参数规格说明工作温度环境0°C ~ 95°C商业/扩展温度范围最大工作电流152mA 1.45V待机电流最大值11mA待机模式温度等级Commercial商业级0°C至95°C的工作温度范围覆盖了大多数室内设备应用场景包括笔记本电脑、台式机、服务器机房、消费电子等环境可控的应用。该器件的应用领域涵盖汽车电子非安全关键、台式电脑、服务器、物联网设备、便携式电脑、网络通信、工业控制等场景。三、封装规格与引脚说明NT5CC64M16GP-EK采用96-ball VFBGA封装Very Thin Fine-pitch Ball Grid Array。封装参数规格说明封装类型VFBGA-96薄型细间距球栅阵列封装尺寸13mm × 8mm标准DDR3 x16尺寸最大高度1.0mm薄型设计球间距0.8mm标准间距引脚数量96标准x16引脚数端子表面处理Sn96.5Ag3.0Cu0.5无铅锡/银/铜符合RoHSJEDEC-609代码e1无铅标识安装类型表面贴装适用于自动化生产包装方式编带卷带批量生产VFBGA封装的特点与优势超薄设计1.0mm高度适合薄型设备信号路径短焊球直接连接至PCB焊盘减小信号延迟和电感效应适合高密度布线0.8mm球间距支持多层PCB设计无铅环保端子镀层为锡/银/铜Sn96.5Ag3.0Cu0.5符合RoHS引脚功能分类标准DDR3 x16引脚排列引脚类型主要功能说明数据引脚DQ0-DQ1516位数据总线数据选通LDQS/LDQS#UDQS/UDQS#两组差分数据选通高/低字节数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码地址引脚A0-A14行/列地址复用输入Bank地址BA0-BA2Bank选择8个Bank时钟CK, CK#差分时钟输入片选CS#芯片选择四、应用场景分析基于1Gb容量、1866Mbps速率和1.35V低功耗的组合NT5CC64M16GP-EK适用于以下应用场景4.1 笔记本电脑与移动设备核心应用应用功能描述关键特性匹配笔记本电脑/超极本系统内存1.35V低功耗 1Gb容量平板电脑紧凑型内存配置96-VFBGA小封装 低功耗迷你PC/一体机板载DDR3L内存VFBGA封装直接贴装DDR3L的低功耗特性使其特别适合对电池续航有要求的移动设备。1.35V电压相比标准DDR3的1.5V可节省约15%的功耗。4.2 网络通信设备应用功能描述关键特性匹配企业级路由器/交换机包缓冲存储1866Mbps高速访问基站设备控制面内存0°C~95°C商业温度光通信设备数据缓冲1.35V低功耗运行4.3 消费电子应用功能描述关键特性匹配智能电视系统内存1Gb容量 低功耗机顶盒解码缓冲成熟稳定的DDR3L技术游戏机辅助存储16位总线直连4.4 工业嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配工业HMI人机界面图形显示缓冲0°C~95°C温度范围工业控制计算机系统内存VFBGA-96封装直接贴装数据采集设备数据缓存高可靠性 成熟工艺五、总结NT5CC64M16GP-EK作为南亚科技DDR3L SDRAM产品线的标准型号在96-ball VFBGA封装13mm×8mm内实现了1Gb存储容量、64M×16组织结构、1866Mbps数据速率和1.35V低电压工作的资源组合为需要标准DDR3L内存解决方案的笔记本电脑、工业嵌入式系统、网络通信和消费电子应用提供了成熟可靠的内存颗粒选择。其1866Mbps数据速率DDR3L-1866可提供约3.73GB/s的单颗粒带宽满足主流计算应用的数据吞吐需求。1.35V低电压运行相比标准DDR31.5V功耗降低约15%同时向下兼容1.5V DDR3系统。8 Banks设计和8n预取架构支持Bank交错操作有效降低访问等待时间。SSTL_135接口专为低电压DDR3优化确保信号完整性。自刷新功能在待机状态下维持数据不丢失。NT5CC64M16GP-EK | Nanya | 南亚科技 | DDR3L SDRAM | 1Gb | 64M×16 | 1866Mbps | DDR3L-1866 | VFBGA-96 | 13×8mm | 1.35V | 商业级 | 0°C~95°C | 笔记本电脑 | 工业嵌入式 | 网络设备 | 消费电子 | 内存颗粒 | RoHSEmail: carrotaunytorchips.com