NT5CC256M16ER-EKX南亚科技4Gb DDR3L SDRAM内存颗粒深度解析在笔记本电脑、工业嵌入式系统、网络通信设备以及各类需要低功耗和高性能内存的应用中DDR3L SDRAM凭借其低电压和成熟的接口优势成为系统设计中重要的存储组件。南亚科技Nanya Technology推出的NT5CC256M16ER-EKX作为一款4Gb DDR3L SDRAM颗粒在96-ball TFBGA封装内集成了256M×16的组织结构、1866Mbps数据速率和1.35V低电压工作能力为各类消费电子、嵌入式系统及通信设备等应用提供了高性价比的DDR3L内存解决方案。一、产品定位与概述NT5CC256M16ER-EKX隶属于南亚科技DDR3L SDRAM产品线是一款标准的4Gb512MB内存颗粒采用E-Die技术属于南亚“E-die”系列产品。产品属性规格说明制造商Nanya南亚科技全球领先的DRAM制造商之一产品类别DDR3L SDRAM低电压DDR3同步动态随机存取存储器存储容量4 Gb4096 Mbit约512MB组织结构256M × 16位256M个地址 × 16位数据宽度数据速率1866 Mbps对应DDR3L-1866PC3-14900时钟频率933 MHz内部时钟频率工作电压1.35V1.283V ~ 1.45VDDR3L低电压标准封装类型TFBGA-9696-ball薄型细间距球栅阵列封装尺寸标准DDR3 x16尺寸—工作温度0°C ~ 95°C商业/扩展温度范围E-die技术南亚E-die第5代DDR3产品产品状态量产/在售Active正常供货该器件采用96-ball TFBGA封装是DDR3 x16颗粒的标准封装形式。DDR3L相比标准DDR31.5V的核心改进在于1.35V工作电压功耗降低约10%同时向下兼容1.5V DDR3系统。型号命名规则解读根据南亚DDR3命名指南字段含义说明NT南亚科技产品前缀—5CC产品系列DDR3L SDRAMCC1.35V低电压256M16组织架构256M × 16ERDie版本E-die第5代-EKX速度/温度代码1866Mbps/商业级0°C~95°C二、核心技术特性2.1 1866Mbps数据速率DDR3L-1866参数规格说明数据传输速率1866 Mbps每引脚数据速率对应DDR3L-1866等效频率1866 MHzDDR双倍数据速率时钟频率933 MHz内部时钟频率数据总线宽度×1616位单颗颗粒数据接口单颗带宽约3.73 GB/s1866Mb/s × 16bit ÷ 81866Mbps数据速率是该器件的核心速度等级。DDR3L-1866是该世代的主流高速配置在带宽与成本之间取得了良好平衡。该器件采用8n预取架构每时钟周期传输两次数据实现1866MT/s的数据率 。2.2 1.35V低电压与DDR3L标准电压参数范围说明工作电压VDD/VDDQ1.283V ~ 1.45VDDR3L低电压标准与DDR3兼容性向下兼容1.5V可直接用于标准DDR3系统1.35V工作电压是DDR3L相比于标准DDR3的核心改进。1.35V模式下功耗较1.5V版本显著降低 同时完全向下兼容1.5V DDR3系统可直接用于标准DDR3设计无需修改PCB或控制器配置。2.3 存储组织256M × 16NT5CC256M16ER-EKX采用256M × 16的组织结构256M地址深度每个颗粒包含268,435,456个存储地址×16数据宽度每个地址对应16位并行数据输出8个内部Bank支持Bank交错访问提高数据吞吐量8 Banks设计相比DDR2的4 Banks显著提高了数据吞吐量降低了Bank冲突导致的访问延迟。2.4 DDR3L核心架构特性该器件支持完整的DDR3L标准功能集 特性规格说明Bank数量8个支持Bank交错操作预取架构8n预取DDR3标准预取技术接口类型SSTL_135专为1.35V优化的I/O接口标准功能特性支持写入均衡功能、自动自刷新、自动预充电功能信号完整性支持ZQ校准功能、动态片上端接、数据掩码功能、异步复位功能ZQ校准功能是该器件在信号完整性方面的关键特性。通过外部240Ω ±1%精密电阻对输出驱动和ODT进行校准补偿电压和温度变化对信号质量的影响 。2.5 温度规格与刷新机制该器件支持0°C至95°C的商业/扩展温度范围 。温度参数规格说明工作温度0°C ~ 95°C商业/扩展温度范围温度等级Commercial商业级0°C至95°C的工作温度范围覆盖了大多数室内设备应用场景包括笔记本电脑、台式机、服务器机房、消费电子等环境可控的应用 。三、封装规格与引脚说明NT5CC256M16ER-EKX采用96-ball TFBGA封装Thin Fine-pitch Ball Grid Array。封装参数规格说明封装类型TFBGA-96薄型细间距球栅阵列封装尺寸标准DDR3 x16尺寸—球间距0.8mm标准间距引脚数量96标准x16引脚数安装类型表面贴装适用于自动化生产包装方式编带卷带包装TFBGA封装的特点与优势信号路径短焊球直接连接至PCB焊盘减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度布线0.8mm球间距支持多层PCB设计引脚功能分类标准DDR3 x16引脚排列引脚类型主要功能说明数据引脚DQ0-DQ1516位数据总线数据选通LDQS/LDQS#UDQS/UDQS#两组差分数据选通高/低字节数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码地址引脚A0-A14行/列地址复用输入Bank地址BA0-BA2Bank选择8个Bank时钟CK, CK#差分时钟输入片选CS#芯片选择ZQZQ外部校准电阻接口复位RESET#异步复位四、应用场景分析基于4Gb容量、1866Mbps速率和1.35V低功耗的组合NT5CC256M16ER-EKX适用于以下应用场景4.1 笔记本电脑与移动设备核心应用应用功能描述关键特性匹配笔记本电脑/超极本系统内存1.35V低功耗 4Gb容量平板电脑紧凑型内存配置96-TFBGA小封装 低功耗迷你PC/一体机板载DDR3L内存FBGA封装直接贴装DDR3L的低功耗特性使其特别适合对电池续航有要求的移动设备 。4.2 工业嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配工业HMI人机界面图形显示缓冲0°C~95°C温度范围工业控制计算机系统内存高可靠性 成熟工艺数据采集设备数据缓存DDR3L标准接口4.3 网络通信设备应用功能描述关键特性匹配企业级路由器/交换机包缓冲存储1866Mbps高速访问基站设备控制面内存0°C~95°C商业温度光通信设备数据缓冲1.35V低功耗运行4.4 消费电子应用功能描述关键特性匹配智能电视系统内存4Gb容量 低功耗机顶盒解码缓冲成熟稳定的DDR3L技术游戏机辅助存储16位总线直连五、互通料号与替代参考NT5CC256M16ER-EKX在市场上存在多个互通/替代型号在引脚96-TFBGA、功能256M×16 DDR3L和电压1.35V上互通或兼容互通型号制造商封装电压速度说明NT5CC256M16ER-EKX本器件NanyaTFBGA-961.35V1866Mbps商业级/卷带包装NT5CC256M16ER-EKNanyaTFBGA-961.35V1866Mbps托盘包装NT5CC256M16ER-EKTNanyaTFBGA-961.35V1866Mbps同系列K4B4G1646E-BCK0SamsungFBGA-961.35V1866Mbps功能兼容六、总结NT5CC256M16ER-EKX作为南亚科技DDR3L SDRAM产品线的标准型号在96-ball TFBGA封装内实现了4Gb存储容量、256M×16组织结构、1866Mbps数据速率和1.35V低电压工作的资源组合为需要标准DDR3L内存解决方案的笔记本电脑、工业嵌入式系统、网络通信和消费电子应用提供了成熟可靠的内存颗粒选择。其1866Mbps数据速率DDR3L-1866可提供约3.73GB/s的单颗粒带宽满足主流计算应用的数据吞吐需求。1.35V低电压运行相比标准DDR31.5V功耗显著降低 同时向下兼容1.5V DDR3系统。8 Banks设计和8n预取架构支持Bank交错操作有效降低访问等待时间。完整的DDR3L功能特性写入均衡、ZQ校准、动态ODT、自动自刷新等确保了系统设计的灵活性和信号完整性 。E-Die技术是该器件在工艺成熟度方面的特征属于南亚第5代DDR3产品在容量和成本之间取得了良好平衡。NT5CC256M16ER-EKX | Nanya | 南亚科技 | DDR3L SDRAM | 4Gb | 256M×16 | 1866Mbps | DDR3L-1866 | TFBGA-96 | 1.35V | 商业级 | 0°C~95°C | E-die | 笔记本电脑 | 工业嵌入式 | 网络设备 | 消费电子 | 内存颗粒 | RoHSEmail: carrotaunytorchips.com