一、芯片概述与产品定位1.1 产品定位LY62W6416B是台湾来扬科技Lyontek inc.推出的宽压低功耗CMOS静态随机存取存储器SRAM。它采用64K×16bit存储架构总容量1,048,576 位1Mb以2.7V~5.5V宽工作电压为核心卖点是少数能在5V系统中直接使用的16位低功耗SRAM。核心特性一览特性参数存储容量1Mb (64K × 16bit)访问速度45ns / 55ns / 70ns 三档可选工作电压2.7V ~ 5.5V宽压待机电流1.5μA典型值 25℃字节控制LB#/UB# 独立高低字节控制温度范围0~70℃商业级/ -40~85℃工业级封装选项44-pin TSOP II / 48-ball TFBGALY62W6416B 的核心价值在于宽电压兼容性。市面上大多数 16 位低功耗 SRAM 仅支持 2.3V~3.6V 的窄电压范围在 5V legacy 系统或 5V/3.3V 混合信号环境中无法直接使用。LY62W6416B 的 2.7V~5.5V 范围覆盖了从 3.3V 到 5V 的完整区间无需电平转换即可接入 5V 总线。1.2 核心优势2.7~5.5V 宽压工作5V 系统直接可用3.3V/5V 混合系统无需电平转换三档速度可选45ns高速/ 55ns中速/ 70ns经济按需选型LB#/UB# 字节控制16 位全宽/8 位单字节/混合模式灵活切换1.5μA 超低待机配合 CE# 控制实现近零功耗休眠双封装可选TSOP II 适合标准 PCBTFBGA6mm×8mm适合高密度设计⚠️选型提示本芯片与LY62L12816B2Mb/3.3V 专用为不同定位产品。如需 5V 兼容必须选择 LY62W6416B如为纯 3.3V 系统且需要更大容量可考虑LY62L12816B。二、核心电气参数参数来源Lyontek LY62W6416B Datasheet (May 2025)2.1 基本参数表参数项符号LY62W6416B-45LY62W6416B-55LY62W6416B-70单位存储架构—65,536 × 1665,536 × 1665,536 × 16bit总容量—1,048,576 (1Mb)1,048,5761,048,576bits读取访问时间tAA455570ns写周期时间tWC455570ns输出使能访问时间tOE253035ns工作电压VCC2.7 ~ 5.52.7 ~ 5.52.7 ~ 5.5V数据保持电压VDR1.5 (min)1.5 (min)1.5 (min)V工作电流满速ICC14 (typ) / 20 (max)10 (typ) / 17 (max)8 (typ) / 15 (max)mA待机电流 ISB1 25℃ISB11.5 (typ) / 3 (max)1.5 (typ) / 3 (max)1.5 (typ) / 3 (max)μA待机电流 ISB1 全温区ISB110 (max)10 (max)10 (max)μA温度范围商业级TA0 ~ 700 ~ 700 ~ 70℃温度范围工业级TA-40 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 85℃封装类型—44-pin TSOP II / 48-ball TFBGA———字节控制LB#/UB#支持———操作模式—全静态无需刷新———输出—三态输出———2.2 逻辑电平参数参数VCC范围最小值典型值最大值单位输入高电平 VIH2.7~5.5V0.5VCC—VCC0.5V输入低电平 VIL2.7~5.5V-0.5—0.3VCCV输出高电平 VOHIOH-2mA2.42.7—V输出低电平 VOLIOL4mA——0.4V输入漏电流 ILIVCC≥VIN≥VSS-1—1μA输出漏电流 ILO输出禁用-1—1μA⚠️关键差异LY62W6416B的VIH为0.5VCC而非固定 2.2V这意味着5V 系统VIH 2.5V兼容标准5V TTL/CMOS3.3V 系统VIH 1.65V3.3V信号可直接驱动输出驱动能力也更强IOH-2mA / IOL4mA对比LY62L12816B的 -1mA/2mA5V 总线负载能力更优。2.3 三档速度选型参考速度档tAAtOEICC(typ)适用场景45ns45ns25ns14mA高速 MCU/FPGA、实时控制55ns55ns30ns10mA标准工业控制、通信设备70ns70ns35ns8mA低速数据记录、成本敏感型选型公式SRAM 访问时间 ≤ MCU 外部总线周期 × 0.8留 20% 裕量三、字节控制功能详解3.1 LB#/UB# 功能说明LY62W6416B的LB#Lower Byte和UB#Upper Byte引脚允许对16位数据总线进行独立字节控制LB# 低电平DQ0~DQ7低 8 位有效UB# 低电平DQ8~DQ15高 8 位有效LB# UB# 都低16 位全宽访问3.2 字节控制真值表操作模式CE#OE#WE#LB#UB#DQ0~DQ7DQ8~DQ15说明待机HXXXXHigh-ZHigh-Z芯片禁用待机XXXHHHigh-ZHigh-Z双字节均禁用读低字节LLHLHDOUTHigh-Z仅读 DQ0~DQ7读高字节LLHHLHigh-ZDOUT仅读 DQ8~DQ15读全字LLHLLDOUTDOUT16 位全读写低字节LXLLHDINHigh-Z仅写 DQ0~DQ7写高字节LXLHLHigh-ZDIN仅写 DQ8~DQ15写全字LXLLLDINDIN16 位全写3.3 数据保持的双通道控制LY62W6416B 的数据保持可通过两种方式进入CE# ≥ VCC-0.2V→ 全部 DQ 进入保持LB# UB# ≥ VCC-0.2V→ 全部 DQ 进入保持即使 CE#L方式2提供了更细粒度的功耗管理——可以在不重新配置地址的情况下通过控制 LB#/UB# 进入低功耗状态。四、读写时序分析4.1 读周期时序Read Cycle读周期完整时序参数45ns 版本参数符号最小值最大值单位读周期时间tRC45—ns地址访问时间tAA—45nsCE# 访问时间tACE—45nsOE# 访问时间tOE—25nsLB#/UB# 访问时间tBA—45nsCE# 到低阻态tCLZ10—nsOE# 到低阻态tOLZ5—nsCE# 到高阻态tCHZ—15nsOE# 到高阻态tOHZ—15nsLB#/UB# 到高阻态tBHZ—20ns输出保持时间tOH10—ns4.2 写周期时序Write Cycle写周期完整时序参数45ns 版本参数符号最小值最大值单位写周期时间tWC45—ns地址有效到写结束tAW40—nsCE# 有效到写结束tCW40—nsLB#/UB# 有效到写结束tBW35—ns地址建立时间tAS0—ns写脉冲宽度tWP35—ns写恢复时间tWR0—ns数据建立时间tDW20—ns数据保持时间tDH0—ns⚠️关键设计注意tBW 35ns表示 LB#/UB# 必须在写结束前 35ns 变为有效低电平。这是字节控制写操作的关键时序约束。五、引脚定义与封装信息5.1 引脚功能表引脚名类型功能描述A0 ~ A15输入16 位地址总线可寻址 65,536 个存储单元DQ0 ~ DQ7双向低 8 位数据总线Lower ByteLB# 控制DQ8 ~ DQ15双向高 8 位数据总线Upper ByteUB# 控制CE#输入芯片使能低电平有效OE#输入输出使能低电平有效WE#输入写使能低电平有效LB#输入低字节控制低电平有效UB#输入高字节控制低电平有效VCC电源电源输入2.7V ~ 5.5VVSS地接地GND多引脚NC—空脚No Connect5.2 封装类型封装一44-pin 400mil TSOP II参数数值引脚数44长度 D18.212 ~ 18.618mm (NOM 18.415mm)宽度 E11.506 ~ 12.014mm (NOM 11.760mm)本体宽 E19.957 ~ 10.363mm (NOM 10.160mm / 400mil)高度 AMAX 1.20mm引脚间距 e0.800mm (NOM)封装二48-ball 6mm×8mm TFBGA参数数值焊球数48尺寸6mm × 8mm焊球间距0.80mm5.3 引脚排列示意图44-pin TSOP II顶视图┌──────────────────────────┐ NC ──│ 44 43 │── A15 VCC ──│ 42 41 │── A14 A13 ──│ 40 39 │── A12 A11 ──│ 38 37 │── A10 A9 ──│ 36 35 │── A8 A7 ──│ 34 33 │── A6 NC ──│ 32 31 │── A5 WE# ──│ 30 29 │── A4 OE# ──│ 28 LY62W6416B 27 │── A3 UB# ──│ 26 25 │── A2 LB# ──│ 24 23 │── A1 CE# ──│ 22 21 │── A0 DQ15 ──│ 20 19 │── NC DQ14 ──│ 18 17 │── DQ0 DQ13 ──│ 16 15 │── DQ1 DQ12 ──│ 14 13 │── DQ2 DQ11 ──│ 12 11 │── DQ3 DQ10 ──│ 10 9 │── DQ4 DQ9 ──│ 8 7 │── DQ5 DQ8 ──│ 6 5 │── DQ6 VSS ──│ 4 3 │── DQ7 VSS ──│ 2 1 │── NC └──────────────────────────┘ ↓ Pin 1 标记侧⚠️ 注以上为根据功能框图和引脚描述整理的引脚排列示意图用于开发参考。实际 PCB 设计请以 Lyontek 官方封装尺寸图为准。六、硬件设计参考6.1 5V 系统接线LY62W6416B在5V系统中可直接连接5V MCU/FPGA LY62W6416BML ┌──────────────────┐ ┌──────────────────┐ │ │ │ │ │ A0-A15 │◄──────────────►│ A0-A15 │ │ (地址总线) │ 直连 │ │ │ │ │ │ │ D0-D15 │◄──────────────►│ DQ0-DQ15 │ │ (数据总线) │ 直连 │ │ │ │ │ │ │ RD#/OE │───────────────►│ OE# │ │ │ 直连 │ │ │ WR#/WE │───────────────►│ WE# │ │ │ 直连 │ │ │ CS#/CE │───────────────►│ CE# │ │ │ 直连 │ │ │ BHE#/UB │───────────────►│ UB# │ │ │ 直连 │ │ │ BLE#/LB │───────────────►│ LB# │ │ │ │ │ │ 5V │───────────────►│ VCC │ │ GND ×2 │───────────────►│ VSS (×2) │ │ │ │ │ └──────────────────┘ └──────────────────┘6.2 3.3V 系统接线与5V系统完全相同仅VCC改为 3.3VSTM32F4 (3.3V) LY62W6416B FSMC_A0-A15 ─────────────────────► A0-A15 FSMC_D0-D15 ─────────────────────► DQ0-DQ15 FSMC_NOE ─────────────────────► OE# FSMC_NWE ─────────────────────► WE# FSMC_NE1 ─────────────────────► CE# FSMC_NBL0 ─────────────────────► LB# FSMC_NBL1 ─────────────────────► UB# 3.3V ─────────────────────► VCC GND ×2 ─────────────────────► VSS (×2)6.3 PCB Layout 建议地址/数据线长度匹配A0-A15和DQ0-DQ15 走线长度差控制在25m以内去耦电容VCC就近放置100nF 10μF去耦电容对阻抗控制数据线串接22~33Ω阻尼电阻字节控制线LB#和UB#走线尽量短TFBGA 封装焊球间距0.8mm需HDI工艺七、功耗特性与低功耗设计7.1 功耗参数参数条件45ns55ns70ns单位ICC(typ)CycleMin, CE#≤0.2V14108mAICC(max)CycleMin, CE#≤0.2V201715mAISB1(typ)CE#≥VCC-0.2V, 25℃1.51.51.5μAISB1(max)CE#≥VCC-0.2V, 25℃333μAISB1(max)CE#≥VCC-0.2V, 全温区101010μA7.2 功耗估算场景5V系统99%时间待机1%时间满速工作45ns 版平均电流 99% × 1.5μA 1% × 14mA ≈ 1.49μA 140μA ≈ 141.5μA 平均功耗 5V × 141.5μA ≈ 708μW纯待机5V功耗 5V × 1.5μA 7.5μW设计建议利用CE# 引脚控制芯片使能MCU休眠前将CE# 拉高进入待机模式。如需更细粒度控制可通过LB#/UB# 单独禁用某一字节通道。八、数据保持与可靠性8.1 数据保持特性参数符号条件最小值最大值单位数据保持电压VDRCE#≥VCC-0.2V 或 LB#UB#≥VCC-0.2V1.55.5V数据保持电流 IDRVCC1.5V, 25℃—1.5 (typ) / 3 (max)μA数据保持电流 IDRVCC1.5V, 全温区—1.5 (typ) / 10 (max)μA芯片禁用到保持时间tCDR—0—ns恢复时间tR—tRC—ns8.2 寿命特性可靠性参数指标值写入耐久性无限次Infinite数据保持需持续供电易失性存储器数据保持电压最低 1.5V全静态操作无需刷新周期SRAM基于6T触发器存储单元不存在写入磨损理论上可无限次写入。如需掉电保持需配合后备电池方案。九、竞品横向对比9.1 主流 64K×16 SRAM 参数对比参数LY62W6416BIS62WV6416CY7C136厂商LyontekISSICypress容量64K×1664K×1664K×16访问时间55ns55ns55ns工作电压2.7~5.5V ★2.3~3.6V3.0~3.6V待机电流1.5μA ★10μA100μAVOH(min)2.4V2.0V2.4V字节控制LB#/UB#LB#/UB#无温度范围0~70℃ / -40~85℃-40~85℃0~70℃BGA 封装48-TFBGA ★无无结论LY62W6416B 是唯一同时支持5V工作电压和提供TFBGA小封装的64K×16低功耗SRAM。在5V/3.3V混合系统中有不可替代的优势。十、典型应用场景10.1 按行业分类 工业控制与自动化PLC 程序缓存、运动控制数据缓冲5V/3.3V 混合信号工控系统-40℃~85℃ 全温区稳定运行 汽车电子车载信息娱乐系统音频缓存车身控制模块BCM状态存储5V 汽车级总线直接兼容 通信与网络设备路由器/交换机数据包缓冲基站控制板配置参数存储16 位宽度匹配通信处理器 仪器仪表数字示波器波形缓存多通道数据采集 FIFO16 位 ADC 数据直连存储 电池供电设备便携式医疗设备智能电表数据缓存与掉电保护1.5μA 待机延长电池续航10.2 应用选型速查应用需求推荐型号关键理由5V/3.3V 混合系统LY62W6416BML-55SLI2.7~5.5V 宽压高速实时控制LY62W6416BML-45SLI45ns 快速访问成本敏感型LY62W6416BML-70SLI70ns 经济版本小体积设计LY62W6416BGL-45SLITFBGA 仅 48mm²电池供电LY62W6416BML-55SLI1.5μA 低待机十一、常见问题 FAQQ1LY62W6416B 的主要参数是什么A核心参数64K×16bit 架构总容量 1Mb访问时间 45ns/55ns/70ns 三档工作电压 2.7V~5.5V待机电流 1.5μAtyp 25℃/ 10μAmax 全温区数据保持电压 1.5V最低温度范围 0~70℃商业级/ -40~85℃工业级封装 44-pin TSOP II / 48-ball TFBGA支持 LB#/UB# 字节控制。Q2能在 5V 系统中直接使用吗A可以。LY62W6416B 工作电压 2.7V~5.5V可直接在 5V 系统中使用。当 VCC5V 时VIH0.5VCC2.5V兼容 5V TTL/CMOS 逻辑VOH(min)2.4VIOH-2mA / IOL4mA驱动能力满足 5V 总线负载要求。这是与大多数仅支持 3.3V 的 16 位 SRAM 最大的区别。Q3能在 3.3V 系统中使用吗A可以。VCC3.3V 时VIH0.5VCC1.65V3.3V CMOS 信号可直接驱动。VOH(min)2.4V在 3.3V 系统中留有 0.9V 噪声裕量可靠性良好。Q445ns / 55ns / 70ns 怎么选A根据系统主频和成本预算。简单公式SRAM 访问时间 ≤ MCU 外部总线周期 × 0.8留 20% 裕量。16MHz 总线 → 周期 62.5ns → 可选 55ns 或 70ns24MHz 总线 → 周期 41.7ns → 需要 45ns成本敏感且速度要求不高 → 70ns 经济版Q5LB#/UB# 字节控制怎么用ALB# 控制 DQ0~DQ7UB# 控制 DQ8~DQ15。两引脚低电平有效LB#L UB#L → 16 位全宽访问LB#L UB#H → 仅低字节访问LB#H UB#L → 仅高字节访问LB#H UB#H → 数据保持模式STM32 的 FSMC 通过 NBL0/NBL1 自动管理8051 通过 BHE#/BLE# 类似控制。Q6寿命有多长A作为 SRAM 器件具有无限次写入耐久性无写入磨损。数据保持需持续供电最低保持电压 1.5V。配合后备电池可实现掉电数据不丢失。Q7温度范围是多少A商业级 0℃~70℃型号无 I 后缀和工业级 -40℃~85℃型号带 I 后缀两种可选。Q8与 LY62L12816B 有什么区别ALY62W6416B 是 1Mb/64K×16、支持 2.7~5.5V 宽压LY62L12816B 是 2Mb/128K×16、仅支持 2.7~3.6V。需要 5V 兼容 → 选 LY62W6416B纯 3.3V 且需要更大容量 → 选 LY62L12816B。十二、订购信息与技术支持12.1 订购型号表格型号速度温度封装包装状态LY62W6416BML-45SL45ns0~70℃44-pin TSOP IITray量产中LY62W6416BML-45SLI45ns-40~85℃44-pin TSOP IITray现货LY62W6416BML-45SLIT45ns-40~85℃44-pin TSOP IITape Reel量产中LY62W6416BML-55SLI55ns-40~85℃44-pin TSOP IITray/Tape现货LY62W6416BML-70SLI70ns-40~85℃44-pin TSOP IITray/Tape量产中LY62W6416BGL-45SLI45ns-40~85℃48-ball TFBGATray现货LY62W6416BGL-55SLI55ns-40~85℃48-ball TFBGATray量产中12.2 官方资料 LY62W6416B Datasheet (May 2025) — Lyontek Inc.12.3 技术支持宝星微科技 — Lyontek 来扬官方授权经销商✅ 正品保障原装现货/期货✅ 技术咨询选型建议、电路审查✅ 样片申请工程验证支持✅ 长期供货保障版权声明本文为技术资料整理所有参数均参考于 Lyontek LY62W6416B Datasheet。如涉及芯片采购请通过正规授权渠道以确保产品质量。 如果本文对你有帮助欢迎点赞收藏有技术问题欢迎在评论区留言讨论。