IGBT 寿命预测方法详解（基于功率循环 + T3STER 数据）IGBT（绝缘栅双极晶体管）在功率模块中的主要失效机理为热机械疲劳，包括：焊料层（Solder）：空洞 / 疲劳裂纹（最常见）键合线（Bond Wire）：抬升 / 断裂芯片 / DBC 界面：分层T3STER / POWERTESTER 通过功率循环（Power Cycling）+ 热瞬态测量，精确获取 ΔTj、结构函数和 Cauer 模型，实现从加速试验到实际寿命的外推。一、主流经验寿命模型（最常用）模型名称公式适用条件典型 IGBT 参数（需标定）备注Coffin-MansonNf = A × (ΔTj)^(-n)纯温差驱动