简 介本文通过实验对比了分立三极管驱动电路中不同容量电容1nF与10nF在栅极充放电时的波形差异。结果显示1nF电容波形上升沿陡峭且无波动而10nF电容在上升沿后出现明显凸起与MOS管栅极等效电容特性相似表明其等效输入电容约为10nF。同时电容增大导致延迟略增。实验揭示了简化模型下电路行为的复杂性暗示实际电路中仍存在未明细节。关键词分离三极管电容充放电分离三极管对电容充放电使用三极管驱动MOS管电路AD\Test\2026\October\TestMOSDriverSS8050.SchDoc01【分离三极管驱动电容波形】一、驱动电容刚才测试了这款分离三极管元器件驱动模式管栅极电路中的波形 可以看到它的驱动波形 上升沿和下降沿都非常陡峭 但是在输入输出波形之间有大约一个微秒的延迟。 不过在这里有个问题 如果把普通的模子管更换成一个电容。 对应的波形会有什么样的变化 比如在这里我们把摩斯款去掉 使用一个一纳法的电容替代 查看一下对应的驱动信号波形。 。对比摩斯管的栅极实际信号看有何区别二、测试结果这是将MOS管去掉 在栅极与源极之间焊接一个1纳法表贴电容。 黄色信号为输入信号 青色信号为电容上的电压信号。 输出信号比输入信号延迟也差不多在一微秒左右 但是在栅极上升沿之后 他并没有一个过程突起 这点是与前面所测量MOS管栅极波形有区别的地方。在这里我们将电容修改为十纳法 可以看到对应的波形有了新的变化 最主要的就是在电容上的波形在上升沿之后有一个凸起 这个凸起与前面测量摩丝管栅极电压时是相同的 由此可以产生这个凸起本身与对应的电容还是罗斯管栅极物理特性没关系只与它的容量有关系 从另一个方面也说明刚才测量的摩斯管它的栅极 总的等效输入电容也是大概在十纳法左右 此外能看到电容增加之后 对应的上升延迟也稍微增加了一些。※总结 ※本文测试了分立三极管 对一个等效电容充放电的波形 对比了电容容量在一纳法和十纳法所产生波形的差异性 可以看到一纳法对应的信号上升沿非常干净利索 但食纳法在电压波形上升之后出现了一定的波动。 但这种细节究竟是如何产生的现在还不得而知。 这也反映了现在对于这样电路在简化模型分析下。 实际上还有很多秘密 我们实际上是不清楚的。补充测试1、对0.1uF电容充电▲ 电容容量为 0.1微法对应的波形2、重新PCB布局重新电路布局改善MOS驱动信号波形▲ 图2.1.2 重新PCB布局在局部增加滤波电容消除电源线过冲▲ 图2.1.3 重新铺设PCB之后对应的波形电容为0.01uF过冲笑出了■ 相关文献链接:使用三极管驱动MOS管电路-CSDN博客