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tDQSH (Data Strobe High Pulse Width)：这个参数描述了数据选通（DQS）信号高电平的有效宽度。在写操作中，tDQSH 确保了DQS信号在高电平状态时能够维持足够的时间，以便数据能够被正确地写入到 SDRAM 中。它是从DQS的一个上升沿到下一个上升沿的时间，即DQS高电平的持续时间。
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tDQSL (Data Strobe Low Pulse Width)：这个参数描述了数据选通（DQS）信号低电平的有效宽度。与 tDQSH 类似，tDQSL 确保了DQS信号在低电平状态时能够维持足够的时间，以便数据能够被正确地从 SDRAM 中读出。它是从DQS的一个下降沿到下一个下降沿的时间，即DQS低电平的持续时间。
区别：
- tDQSH 和 tDQSL 主要的区别在于它们分别描述了DQS信号的高电平和低电平状态的持续时间。这两个参数共同定义了DQS信号的完整周期，确保了数据在写入和读出过程中的时序要求能够得到满足。
- 在实际的内存操作中，tDQSH 和 tDQSL 需要满足特定的时序要求，以保证数据的正确传输。这些时序参数对于内存的稳定性和性能至关重要，任何违例都可能导致数据错误或内存操作失败。
简而言之，tDQSH 和 tDQSL 是确保 DDR SDRAM 读写操作时序准确性的两个关键参数，它们分别对应DQS信号的高电平和低电平宽度。
