向FLASH中写入数据函数
/*函数说明:向FLASH中写数据形参:addr-要写入数据的起始地址 data-准备写入数据 len-数据大小返回值:1-成功,0-失败
*/
uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len)
{uint32_t FirstPage = 0, NbOfPages = 0; //FirstPage:第一页,NbOfPages:Number of pages to be erased,需要被擦除的页数uint32_t Address = 0, PageError = 0; //Address:要写入FLASH的地址//FLASH解锁HAL_FLASH_Unlock(); //FLASH解锁//获取要擦除的第一页FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR); //获取要擦除的第一页//设置要擦除多少页NbOfPages = 1; //1页,擦除一页//对要擦除结构体中的内容赋值EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //仅擦除页面EraseInitStruct.Page = FirstPage; //要擦除的起始页面EraseInitStruct.NbPages = NbOfPages; //需要擦除的页数//擦除FLASHif(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)//擦除FLASH{while (1){}}if(PageError != 0xFFFFFFFF){return FLASH_WRITE_FAIL;}//对要写入FLASH的初始地址赋值Address = addr; //初始地址赋值//写入数据到FLASH中for(int i = 0 ; i < len;i ++ ,Address+=8) {//写入数据,写入位置Address+=8,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, data[i]);}HAL_FLASH_Lock(); //FLASH上锁return FLASH_READ_SUCCESS;
}/*** @brief Gets the page of a given address 获取给定地址的页面* @param Addr: Address of the FLASH Memory FLASH中的地址* @retval The page of a given address*/
static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
{return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
}
读取FLASH中数据函数
/*函数说明:读取FLASH中的数据形参:addr-要读取数据的起始地址 data-读出数据存放的地址 len-数据大小*/
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len)
{uint32_t Address = 0; //要读取数据的地址Address = addr; //起始地址for(int i = 0; i < len; i++, Address+=8){data[i] = *(__IO uint32_t*)(Address);}}
程序汇总在一起,.c和.h文件如下:
hal_falsh.c文件
#include "hal_flash.h"static uint32_t GetPage(uint32_t Address);static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; //FLASH擦除结构体/*函数说明:向FLASH中写数据形参:addr-要读取数据的起始地址 data-准备写入数据 len-数据大小返回值:1-成功,0-失败
*/
uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len)
{uint32_t FirstPage = 0, NbOfPages = 0; //FirstPage:第一页,NbOfPages:Number of pages to be erased,需要被擦除的页数uint32_t Address = 0, PageError = 0; //Address:要写入FLASH的地址//FLASH解锁HAL_FLASH_Unlock(); //FLASH解锁//获取要擦除的第一页FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR); //获取要擦除的第一页//设置要擦除多少页NbOfPages = 1; //1页,擦除一页//对要擦除结构体中的内容赋值EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //仅擦除页面EraseInitStruct.Page = FirstPage; //要擦除的起始页面EraseInitStruct.NbPages = NbOfPages; //需要擦除的页数//擦除FLASHif(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)//擦除FLASH{while (1){}}if(PageError != 0xFFFFFFFF){return FLASH_WRITE_FAIL;}//对要写入FLASH的初始地址赋值Address = addr; //初始地址赋值//写入数据到FLASH中for(int i = 0 ; i < len;i ++ ,Address+=8) {//写入数据,写入位置Address+=8,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, data[i]);}HAL_FLASH_Lock(); //FLASH上锁return FLASH_READ_SUCCESS;
}/*函数说明:读取FLASH中的数据形参:addr-要读取数据的起始地址 data-读出数据存放的地址 len-数据大小*/
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len)
{uint32_t Address = 0; //要读取数据的地址Address = addr; //起始地址for(int i = 0; i < len; i++, Address+=8){data[i] = *(__IO uint32_t*)(Address);}}/*** @brief Gets the page of a given address 获取给定地址的页面* @param Addr: Address of the FLASH Memory FLASH中的地址* @retval The page of a given address*/
static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
{return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
}
hal_falsh.h文件
#ifndef _HAL_FLASH_H_
#define _HAL_FLASH_H_#include "stm32g0xx_hal.h"//FLASH写入状态
typedef enum
{FLASH_WRITE_FAIL, //0,失败FLASH_READ_SUCCESS, //1,成功
}FLASH_WRITE_STATE;uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len);
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len);#endif
在主函数中,需要对FLASH写入或读取数据,直接调用这两个函数即可。
注意:
如果将串口接收到的数据直接通过这个FLASH写函数写入FALSH中的话,会出现每个数据之间间隔8个字节,如下图所示,因为串口是8位数据(1字节),而这个FLASH写函数一次性写入时64位(8字节)。
在读FLASH函数中,也是一次性读取64位(8字节)数据,所以如果串口接收数据不是特别多,间隔八个字节存储在FLASH中可以存储下,那么就可以直接调用上面的写函数和读函数进行数据的读写,最终可以得到正确的结果。
参考文章:
Keil5 HAL库操作 flash 存储数据(stm32f103c6t6),实现断电保存数据 - 耿明岩 - 博客园